行业领域：制造业 —— 其他制造业

专利信息： 非专利技术

成熟度： 已有样品

技术合作方式： 完全转让 许可转让

技术推广方式： 正在技术推广

技术交易价格： 面议

联系人：方志仙

联系方式：13957007799

技术成果发布数：1481

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适用范围

该成果属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域。能够用于有机集成电路、有机太阳能电池、有机激光器或者有机传感器。    

成果内容简介

      本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性， 提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。
与该专利类似的专利:
一类有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途 CN200910223362.6
有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途 CN201010273101.8 有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途 CN201010273094.1 有机电子传输和/或空穴阻挡材料及其合成方法和用途 CN200710176009.8