行业领域：制造业 —— 计算机、通信和其他电子设备制造
专利信息： 非专利技术
成熟度： 已有样品
技术合作方式： 完全转让 许可转让 技术入股
技术推广方式： 正在技术推广
技术交易价格： 100万元- 200万元
联系人：朱先生
联系方式：0751-88212401
技术成果发布数：244
邮箱：350055397@qq.com
成果内容简介
本发明涉及一种SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管，在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构，在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧，因此提升了隧穿电流的产生率；对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。
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