行业领域：制造业 —— 计算机、通信和其他电子设备制造

专利信息： 非专利技术

成熟度： 正在研发

技术合作方式： 完全转让 许可转让

技术推广方式： 正在技术推广

技术交易价格： 100万元- 200万元

联系人：朱先生

联系方式：0751-88212401

技术成果发布数：244

邮箱：350055397@qq.com

成果内容简介

本发明公开了一种源栅漏共控单掺杂型隧穿晶体管，源电极和漏电极除与半导体薄膜接触之外，还分别附着于临近源电极和漏电极两侧的绝缘介质层的上方，使其分别对半导体薄膜的源极和漏极部分的电场和载流子分布具有一定控制作用。当器件工作时，对源电极施加反向电压；对漏电极施加正向电压；并通过调节栅电极的电压，使位于栅电极下方的具有较窄禁带宽度的半导体薄膜区实现载流子的耗尽，以此实现虚拟的PIN结，避免了普通隧穿晶体管对于深纳米尺度下的重掺杂PIN结在热处理工艺过程当中会发生再次扩散的这一技术难题，还可以通过调节源电极和漏电极的电压来降低源漏接触电阻。