行业领域：制造业 —— 计算机、通信和其他电子设备制造

专利信息： 非专利技术

成熟度： 已有样品

技术合作方式： 完全转让 许可转让

技术推广方式： 正在技术推广

技术交易价格： 100万元- 200万元

联系人：朱先生

联系方式：0751-88212401

技术成果发布数：244

邮箱：350055397@qq.com

成果内容简介

本发明涉及一种高性能高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管，采用源电极与本征硅源区间形成的肖特基势垒作为器件的隧穿势垒，利用其势垒高度小于硅禁带宽度的特点，在无需引入比硅禁带宽度更窄的材料的前提下，实现比普通基于硅材料的PIN型隧穿场效应晶体管更高的隧穿场效率，以此提高亚阈值斜率和器件的电流导通能力；采用L形栅电极来控制具有凹槽结构特征的本征硅沟道区，一方面对肖特基势垒宽度具有良好的控制作用，一方面减弱栅电极对重掺杂漏极区的控制作用，实现具有陡峭亚阈值斜率、良好开关特性、高导通电流以及反向低泄漏电流和静态功耗的适合作为深纳米级集成电路设计基本单元的高性能高集成度L形栅控肖特基势垒隧穿晶体管。