行业领域:科学研究和技术服务业 —— 研究和试验发展
专利类型: 发明专利
专利信息: 专利技术
专利号: CN201610293052.1
成熟度: 通过小试
技术合作方式: 其他
技术推广方式: 正在技术推广
技术交易价格: 面议
联系人:林天天
联系方式:17305814880
技术成果发布数:199
邮箱:2753376671@qq.com
成果内容简介
本发明揭示了一种微电子结构及其形成方法。该微电子结构的形成方法,包括在一衬底上形成多个掺杂区域,并选择性地在掺杂区域上形成一石墨烯层。此石墨烯层包括至少一层石墨烯结构,且具有大于300meV的能隙。由此获得的微电子结构应用高能隙的石墨烯材料,可提升其电子特性。