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微电子结构及其形成方法

作者:Admin 发布时间:2021年11月15日15:02:58 1664次浏览
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微电子结构及其形成方法

行业领域:科学研究和技术服务业 —— 研究和试验发展

专利类型: 发明专利

专利信息: 专利技术

专利号: CN201610293052.1

成熟度: 通过小试

技术合作方式: 其他

技术推广方式: 正在技术推广

技术交易价格: 面议

联系人:林天天

联系方式:17305814880

技术成果发布数:199

邮箱:2753376671@qq.com

成果内容简介

本发明揭示了一种微电子结构及其形成方法。该微电子结构的形成方法,包括在一衬底上形成多个掺杂区域,并选择性地在掺杂区域上形成一石墨烯层。此石墨烯层包括至少一层石墨烯结构,且具有大于300meV的能隙。由此获得的微电子结构应用高能隙的石墨烯材料,可提升其电子特性。    

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