行业领域：制造业 —— 其他制造业

专利信息： 非专利技术

成熟度： 通过中试

技术合作方式： 许可转让 合作生产

技术推广方式： 正在技术推广

技术交易价格： 面议

联系人：李海涛

联系方式：17357318878

技术成果发布数：1007

邮箱：355294213@qq.com

成果内容简介

技术产品介绍 AIN（氮化铝）陶瓷基片是一种新型的基片材料，具有优异的电性能和热性能，导热系数大，抗热震性好，密度低，比重小，被认为是最有发展前途的高导热陶瓷基片。 本项目在保证AIN陶瓷性能的前提下，采用无毒溶剂完全或部分代替有毒溶剂，减少环境污染和危害，促进AIN陶瓷的产业化发展。结合凝胶注模和流延技术的优点，制备高致密度和均匀性好的AIN膜片，更有利于制备高固含量的浆料。 应用场景 AIN陶瓷基片成为高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料，在LED散热、太阳能电池组件、电子组件都具有良好的应用，在国防、航空航天、通讯、微电子等领域内应用前景十分广阔。 技术优势 AIN粉体和烧结助剂能够均匀的填充在有机单体和交联剂固化形成的三维网络结构中，不仅增加了AIN膜片的均匀性，而且在干燥过程中，可提高AIN膜片的致密度，有效减少了AIN膜片的缺陷和变形，既能提高产品合格率，也可降低烧结温度，从而降低生产成本。 加分项 3项国家发明专利，已与当地企业合作生产。