行业领域：制造业 —— 专用设备制造业
专利类型： 发明专利
专利信息： 专利技术
专利号： CN201610018728.6
成熟度： 可以量产
技术合作方式： 完全转让
技术推广方式： 正在技术推广
技术交易价格： 面议
联系人：胡浩、罗君
联系方式：15372477087
技术成果发布数：364
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成果内容简介
本发明公开了一种ZnO纳米晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该紫外探测器自下而上依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、ZnO纳米晶层和Au电极。其制备方法如下：先制备ZnO纳米晶的胶体分散相，然后将胶体分散相旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，旋涂并退火，最后镀上Au电极完成紫外探测器的制作。相比于传统的紫外探测器，此方法制备的紫外探测器暗电流低、响应灵敏度高、响应时间快，且结构简单、制备成本低，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值。
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