行业领域：科学研究和技术服务业 —— 研究和试验发展

专利类型： 发明专利

专利信息： 专利技术

专利号： CN201410320016.0

成熟度： 通过中试

技术合作方式： 其他

技术推广方式： 正在技术推广

技术交易价格： 面议

联系人：吴妍甦

联系方式：13735242950

技术成果发布数：111

邮箱：ghzhyhx@163.com

成果内容简介

本申请公开了一种 LED 芯片及提高 LED 芯片出光效率的方法，该方法包括：s1、在透明衬底上依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层；s2、通过透明衬底一侧，通过激光聚焦的方法在透明衬底内部、和/或第一半导体层上形成光反射结构，该光反射结构为多个空腔、不同相界面、非平面结构或粗糙界面。本发明在已经制作好的 LED 芯片上，通过激光手段在半导体层或衬底的内部形成光反射结构，减少了光路的距离，提高了 LED 的出光效率。同时针对 GaN基 LED，在激光熔融或烧灼完成后，还可以在 GaN 层内的某些局部形成 Ga 金属颗粒，通过金属颗粒的作用，可以进一步提高光反射效果。