行业领域：信息传输、软件和信息技术服务业 —— 软件和信息技术服务业
专利类型： 发明专利
专利信息： 专利技术
专利号： CN201510770348.3
成熟度： 通过小试
技术合作方式： 其他
技术推广方式： 正在技术推广
技术交易价格： 面议
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技术成果发布数：3597
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成果内容简介
本发明公开了一种基于紫外宽光谱自成像制备二维周期阵列的光刻方法 及其装置，其特点是，当采用非单色紫外宽光谱照明周期掩模时，不同 光谱和级次的自成像光场分布相互交错叠加，在掩模后一定距离范围内 可形成连续可成像区域。本发明利用紫外宽光谱自成像的可成像焦深范 围大，给出了制备二维周期阵列的光刻的具体步骤及其装置。采用紫外 宽光谱自成像光刻术制作周期阵列结构大大降低了对硅片形貌、定位精 度的要求。
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