行业领域：科学研究和技术服务业 —— 研究和试验发展

专利类型： 发明专利

专利信息： 专利技术

专利号： CN201510615752.3

成熟度： 通过中试

技术合作方式： 其他

技术推广方式： 正在技术推广

技术交易价格： 面议

联系人：吴妍甦

联系方式：13735242950

技术成果发布数：101

邮箱：ghzhyhx@163.com

成果内容简介

本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb 或 InAs/InAsSb 超晶格吸收层、InAs/GaSb 超晶格或 GaSb 或 GaAsSb 接触层以及上电极，并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p 型区域。本发明还公开了一种制作所述红外探测器的方法。本发明提供的锑化物超晶格红外探测器使用了平面结构，避免了常规台面结构中由于刻蚀产生的表面漏电流，有利于降低红外探测器的暗电流和噪声，并简化了锑化物二类超晶格红外探测器的制作工艺，同时本发明因采用了特殊设计的 pin 型探测器的能带结构和材料组合，还使得光生载流子的收集不受势垒阻挡，有效保证和提升了红外探测器的工作性能。