行业领域：制造业 —— 其他制造业
专利类型： 发明专利
专利信息： 专利技术
专利号： CN200910081459.8
成熟度： 正在研发
技术合作方式： 完全转让
技术推广方式： 正在技术推广
技术交易价格： 面议
联系人：方女士
联系方式：13957007799
技术成果发布数：142
邮箱：sckjdsc@163.com
成果内容简介
一种用于薄膜太阳电池的陷光结构，其基本特征在于这种陷光结构处在太阳电池光吸收区的背光面，从太阳电池光吸收区一侧开始依次包括衍射光栅 1，分布布拉格反射器(DBR)2 和金属反射器 3。衍射光栅 1 提高光的衍射效率，DBR2 和金属反射器 3 共同提高光的反射率。金属反射器 3 的存在一方面极大的提高了所述结构的陷光效率，一方面可以减少 DBR 的对数，使这种陷光结构更容易制作。在DBR2 和金属反射器 3 之间可以进一步含有介质缓冲层 4。
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