行业领域：制造业 —— 计算机、通信和其他电子设备制造
专利类型： 发明专利
专利信息： 专利技术
专利号： CN201410320016.0
成熟度： 正在研发
技术合作方式： 完全转让
技术推广方式： 正在技术推广
技术交易价格： 面议
联系人：方女士
联系方式：13957007799
技术成果发布数：97
邮箱：sckjdsc@163.com
成果内容简介
本发明在已经制作好的 LED 芯片上，通过激光手段在半导体层或衬底的内部形成光反射结构，减少了光路的距离，提高了 LED 的出光效率。同时针对 GaN 基 LED，在激光熔融或烧灼完成后，还可以在 GaN 层内的某些局部形成 Ga 金属颗粒，通过金属颗粒的作用，可以进一步提高光反射效果。
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