行业领域：制造业 —— 计算机、通信和其他电子设备制造

专利信息： 非专利技术

成熟度： 正在研发

技术合作方式： 完全转让

技术推广方式： 正在技术推广

技术交易价格： 100万元- 200万元

联系人：朱先生

联系方式：0751-88212401

技术成果发布数：244

邮箱：350055397@qq.com

成果内容简介

本发明涉及一种具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽双极晶体管，对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；利用栅绝缘隧穿电流作为引发发射集电流的驱动电流，实现了更高的正向导通特性；利用发射区、基区和集电区所形成的凹槽形几何特征，对比于普通平面结构，避免了发射区、基区和集电区沿水平方向依次排列，因此节省了芯片面积，可以实现更高的集成度。另外本发明还提出了一种具有U形隧穿层基极的栅绝缘隧穿凹槽双极晶体管的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。