一、项目概况：天水天光半导体有限责任公司地处天水市中心，工业用地49061m2。其中：生产用建筑面积25166m2。肖特基二极管（SBD）多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也可在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。本项目通过利用JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力的技术，购置高温高能离子注入机、碳膜磁控溅射设备、高温退火设备、去碳膜设备、栅极氧化设备、干法刻蚀设备、高密度等离子刻蚀机、薄膜淀积PVD、PECVD等设备，建设一条年产6000万只SiC肖特基二极管封装生产线和年产30000片4英寸SiC芯片研发生产线。
二、投资估算：总投资4.8亿元，拟引资4.8亿元。
三、经济效益预测：项目达产后，年营业收入可达6亿元。财务内部收益率25.7%；项目财务净现值24415.2万元；资本金内部收益率20.1%；资本金利润率25.8%；总投资收益率21.5%。
四、项目进展情况：已在天水市发改委备案，项目可行性研究报告编辑完成，环境评价报告和安全生产报告已批复。
五、合作方式：合资、合作。
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